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KCT040N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 3.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),最大限度地减少导电损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,开关速度快,性能稳定可靠,在电...
www.kiaic.com/article/detail/6104.html 2025-12-16
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当S1导通S2断开时,相当于用电感将输入源VIN短路,电感电流就会以固定斜率增长,此时电感就在蓄能了。直到S2导通S1断开,由于电感电流不会跳变,电感电流继续沿原来的电流方向流动,同时由于闭环路径中阻抗增加(此时闭环电路中有了输出电容C),电感电流势必减...
www.kiaic.com/article/detail/6103.html 2025-12-16
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升压变压器是一种能够在次级产生比施加到初级的电压更高的电压的变压器,工作原理基于电磁感应,即通过互由共同磁通量耦合的两个电路之间的感应来实升压。当交流电(AC)施加到初级线圈时,会产生波动的磁场,进而在次级线圈中感应出电动势,从而实现电压的升高...
www.kiaic.com/article/detail/6102.html 2025-12-16
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KCT032N10N场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 3.5mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少损耗,开关速度快,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,高可靠性和稳定性,性能优越,在电...
www.kiaic.com/article/detail/6101.html 2025-12-15
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通过调节脉冲宽度改变输出平均功率。以直流电机为例,占空比越高,平均电压越大,转速越快;反之占空比降低,平均电压减小,转速变慢。这种线性关系使得速度控制变得简单而精确。
www.kiaic.com/article/detail/6100.html 2025-12-15
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电路通过锂离子电池电源驱动四个小型白光LED,可以通过改变ICLTC6992的PWM或改变R3电阻器的值来调暗LED亮度。四个白色LED与LED引脚5和Q1MOSFET漏极引脚连接,Si2302的栅极端子与LT3491的CTRL引脚和LTC6992的PWM输出引脚连接。
www.kiaic.com/article/detail/6099.html 2025-12-15
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MOS管在电动车中扮演着核心角色,尤其在电池管理系统(BMS)、充电系统以及报警器中发挥着关键作用。电动车防盗报警器专用MOS管KPD7910A采用先进的沟槽技术制造,漏源击穿电压-100V,漏极电流-28A,RDS(on) = 60mΩ,具有低导通电阻 ,开关速度快,优秀的QgxRD...
www.kiaic.com/article/detail/6098.html 2025-12-15
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全桥电路两个桥臂之一,例如开关Q1和Q4组成方向臂,当调制信号us>0时,Q1导通,而Q4关断,输出的平均电压大于零;当调制信号usuc时,Q3导通,而Q2关断;当us<uc时,Q2导通,而Q3关断。
www.kiaic.com/article/detail/6097.html 2025-12-12
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三相电压型逆变器结构如图所示。VT1-VT6 为六个功率开关管,由六路 PWM 信号进行控制,逆变器输出为 ua、ub 和 uc,控制无刷电机的三相线圈通断,FOC控制下,输出的三相电压为正弦波的形式。从而实现从直流到交流的变换。
www.kiaic.com/article/detail/6096.html 2025-12-12
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KCT012N09N场效应管漏源击穿电压90V,漏极电流305A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 1.3mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;开关速度快、符合JEDEC标准,产品性能稳定可靠,在电机控制和驱动、电池管理、不间断电源...
www.kiaic.com/article/detail/6095.html 2025-12-11
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开关控制:同一桥臂的上下管互补导通,避免直通短路(需加入死区时间)。在正弦波正半周,一对角开关交替导通;负半周切换至另一对角,实现交流极性反转。
www.kiaic.com/article/detail/6094.html 2025-12-11
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PWM逆变电路的原理是通过控制功率开关器件(如MOSFET或IGBT)的通断时序,生成宽度可变的等幅脉冲序列,从而将直流电(DC)高效地转换为可调电压和频率的交流电(AC)。
www.kiaic.com/article/detail/6093.html 2025-12-11
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KCT050N08N场效应管漏源击穿电压85V,漏极电流120A ,采用先进的MOS技术制造,极低导通电阻RDS(开启) 4.6mΩ,卓越的QgxRDS(on)产品(FOM),减少开关损耗,提高效率;符合JEDEC标准,100%DVDS测试、100%雪崩测试,确保可靠性和稳定性,广泛应用于电机控制和...
www.kiaic.com/article/detail/6092.html 2025-12-10
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逆变器后级电路的作用是将高压直流电转换为稳定的交流电,结构采用全桥(H桥)拓扑。逆变器后级电路通过SPWM控制全桥开关管,将高压直流电逆变为交流电,并依赖LC滤波器净化输出。设计时需重点关注死区时间设置、米勒电容抑制和驱动电路稳定性,以确保高效可靠...
www.kiaic.com/article/detail/6091.html 2025-12-10